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上海华力申请用于SRAM速度调节的控制电路专利, 调节导通电流上升以增加读取速度
发布日期:2025-02-04 14:12 点击次数:60

金融界2025年1月31日消息,国家知识产权局信息显示,上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“用于SRAM速度调节的控制电路”的专利,公开号CN119380779A,申请日期为2024年9月。

专利摘要显示,本发明提供一种用于SRAM速度调节的控制电路,包括双端口的八晶体管SRAM,其包括:4个晶体管PG1、PG2、PU1、PU2和4个晶体管PD1、PD2、RPPD、RPPG;其中,PD1、PD2、RPPD为下拉管,PU1、PU2为上升管,PG1和PG2为传输管,RPPG为选通管;RPPD、RPPG作为读取端口;背侧偏置电压控制模块,其用于控制RPPD和RPPG的背侧电压:当B‑WL关闭时,读取端口为静止模式,调节背侧电压为第一目标值,使得截止漏电下降以降低功耗;当B‑WL启动时,读取端口为操作模式,调节背侧电压为第二目标值使得导通电流上升以增加操作速度本发明能够在不调整工艺流程的情况下,调节SRAM的截止漏电下将以降低功耗,调节导通电流上升以增加读取速度。

天眼查资料显示,上海华力集成电路制造有限公司,成立于2016年,位于上海市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币,实缴资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析,上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2067次,专利信息2181条,此外企业还拥有行政许可344个。

本文源自:金融界

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